反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):4.6mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39.6nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):43.4W,输入电容(Ciss):2875pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 43.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 2875pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0613/个 |
| 50+ | ¥0.85/个 |
| 150+ | ¥0.759/个 |
| 500+ | ¥0.646/个 |
| 3000+ | ¥0.52/个 |
| 6000+ | ¥0.489/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.4784
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