反向传输电容(Crss):82pF@20V,导通电阻(RDS(on)):1.8mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):3972pF@20V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 3972pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.47/个 |
| 10+ | ¥3.63/个 |
| 30+ | ¥3.21/个 |
| 100+ | ¥2.8/个 |
| 500+ | ¥2.22/个 |
| 1000+ | ¥2.09/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.9228
3000 PCS/盘
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