反向传输电容(Crss):7pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.3Ω@10V,2A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13.7nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):610pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.379/个 |
| 50+ | ¥1.35/个 |
| 150+ | ¥1.332/个 |
| 500+ | ¥1.313/个 |
| 510+ | ¥1.238/个 |
| 520+ | ¥1.238/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.13896
3000 PCS/盘
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