反向传输电容(Crss):16pF,导通电阻(RDS(on)):600mΩ@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):56W,输入电容(Ciss):1.81nF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 输入电容(Ciss) | 1.81nF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.36/个 |
| 10+ | ¥3.54/个 |
| 50+ | ¥3.12/个 |
| 100+ | ¥2.71/个 |
| 500+ | ¥2.47/个 |
| 1500+ | ¥2.34/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.8704
50 PCS/盘
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