反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):0.42Ω@10V,5.5A,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):31W,输入电容(Ciss):680pF@25V,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.42Ω@10V,5.5A | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 31W | |
输入电容(Ciss) | 680pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7.18/个 |
10+ | ¥6.06/个 |
50+ | ¥5.44/个 |
100+ | ¥4.74/个 |
500+ | ¥4.43/个 |
1500+ | ¥4.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.0048
50 PCS/盘
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