晶体管类型:PNP,特征频率(fT):280MHz,直流电流增益(hFE):120@100mA,3V,耗散功率(Pd):10W,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):400mV@50mA,1A,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):2A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 280MHz | |
直流电流增益(hFE) | 120@100mA,3V | |
耗散功率(Pd) | 10W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@50mA,1A | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 2A |