反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):170mΩ@4V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.6nC@15V,栅极电荷量(Qg):3nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):270pF@10V,输入电容(Ciss):80pF@10V,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.5V,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4V,1.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 80pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.754/个 |
| 50+ | ¥1.315/个 |
| 150+ | ¥1.127/个 |
| 500+ | ¥0.893/个 |
| 3000+ | ¥0.738/个 |
| 6000+ | ¥0.675/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.67896
3000 PCS/盘
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