反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@4.5V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):115pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):0.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,200mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.27/个 |
100+ | ¥0.217/个 |
300+ | ¥0.19/个 |
3000+ | ¥0.171/个 |
6000+ | ¥0.155/个 |
9000+ | ¥0.147/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.171
3000 PCS/盘