反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,2.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):45V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):250pF,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 30pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V,2.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 45V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 250pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥4.35/个 |
10+ | ¥3.19/个 |
30+ | ¥2.61/个 |
100+ | ¥2.03/个 |
500+ | ¥1.68/个 |
1000+ | ¥1.5/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.5
3000 PCS/盘