反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@300mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):25pF@10V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@300mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 25pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.625/个 |
50+ | ¥0.5/个 |
150+ | ¥0.437/个 |
500+ | ¥0.391/个 |
2500+ | ¥0.353/个 |
5000+ | ¥0.334/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.30728
8000 PCS/盘
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