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SI6562CDQ-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI6562CDQ-T1-GE3
- 商品编号
- C511051
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000081千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.6W,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):850pF,连续漏极电流(Id):6.7A,连续漏极电流(Id):6.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.3/个 |
| 10+ | ¥5.11/个 |
| 30+ | ¥4.52/个 |
| 100+ | ¥3.734/个 |
| 500+ | ¥3.392/个 |
| 1000+ | ¥3.221/个 |
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