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INN650DA04
扩展库- 品牌名称
- Innoscience(英诺赛科)
- 厂家型号
- INN650DA04
- 商品编号
- C5121646
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.00025千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):0.4pF,导通电阻(RDS(on)):365mΩ,导通电阻(RDS(on)):365mΩ@6V,工作温度:-55℃~+150℃,技术路线:-,栅极电荷量(Qg):0.9nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):39W,输入电容(Ciss):34pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 365mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 365mΩ@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 技术路线 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.9nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.15/个 |
| 10+ | ¥3.38/个 |
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| 100+ | ¥2.6/个 |
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