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GD5F1GQ4RB9IGR
扩展库- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 厂家型号
- GD5F1GQ4RB9IGR
- 商品编号
- C5125176
- 商品封装
- LGA-8(6x8)
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):3ms,存储容量:-,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.7V~2V,待机电流:90uA,接口类型:SPI,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):120MHz,页写入时间(Tpp):400us
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 存储容量 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 待机电流 | 90uA | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 120MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 400us |
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