写周期时间(Tw):25ns,块擦除时间(tBE):4.5ms,存储容量:4Gbit,工作温度:-,工作电压:2.7V~3.6V,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):40MHz,页写入时间(Tpp):400us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 4.5ms | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作温度 | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | 40MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 400us |