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FDB060AN08A0
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDB060AN08A0
- 商品编号
- C512889
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.001661千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):230pF,导通电阻(RDS(on)):4.8mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):73nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):255W,输入电容(Ciss):5150pF,输出电容(Coss):800pF,连续漏极电流(Id):16A,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 输入电容(Ciss) | 5150pF | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥19.18/个 |
| 10+ | ¥17.428/个 |
| 30+ | ¥15.314/个 |
| 100+ | ¥15.0645/个 |
| 102+ | ¥15.0645/个 |
| 104+ | ¥15.0645/个 |
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单价
整盘单价¥15.0645
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