反向传输电容(Crss):3.4pF@25V,导通电阻(RDS(on)):10Ω@4.5V,0.17A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):73pF@25V,连续漏极电流(Id):0.17A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3.4pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V,0.17A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | 73pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 0.17A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.325/个 |
100+ | ¥0.256/个 |
300+ | ¥0.221/个 |
3000+ | ¥0.196/个 |
6000+ | ¥0.175/个 |
9000+ | ¥0.164/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18032
3000 PCS/盘
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