导通电阻(RDS(on)):3.1mΩ@10V,25A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):59nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):135W,输入电容(Ciss):4880pF@15V,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):2.35V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V,25A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 59nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 135W | |
输入电容(Ciss) | 4880pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 160A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.7/个 |
10+ | ¥5.42/个 |
30+ | ¥4.78/个 |
100+ | ¥4.14/个 |
500+ | ¥3.35/个 |
1000+ | ¥3.15/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.149
2000 PCS/盘
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