导通电阻(RDS(on)):3.1mΩ@10V,25A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):59nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):135W,输入电容(Ciss):4880pF@15V,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):2.35V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V,25A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 输入电容(Ciss) | 4880pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.18/个 |
| 10+ | ¥4.96/个 |
| 30+ | ¥4.35/个 |
| 100+ | ¥3.74/个 |
| 500+ | ¥2.99/个 |
| 1000+ | ¥2.8/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.696
2000 PCS/盘
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