温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
VB1240X
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VB1240X
- 商品编号
- C516874
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000054千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):131pF,导通电阻(RDS(on)):0.014Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.018Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.2W,输入电容(Ciss):865pF,输出电容(Coss):316pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.014Ω@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.018Ω@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 输出电容(Coss) | 316pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.232/个 |
| 100+ | ¥0.227/个 |
| 300+ | ¥0.223/个 |
| 1000+ | ¥0.22/个 |
| 1020+ | ¥0.22/个 |
| 1040+ | ¥0.22/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.2024
3000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉52.8元
送
换料费券¥300
库存总量
5 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车