反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):3.6Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.9nC@15V,漏源电压(Vdss):70V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):420mW,输入电容(Ciss):22pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):400mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.9nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 70V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 420mW | |
输入电容(Ciss) | 22pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 400mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.84/个 |
50+ | ¥0.822/个 |
150+ | ¥0.81/个 |
500+ | ¥0.797/个 |
510+ | ¥0.797/个 |
520+ | ¥0.797/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.788
3000 PCS/盘
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