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VB562K
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VB562K
- 商品编号
- C516880
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 商品毛重
- 0.000023千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.7Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):2.06Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.7nC@5V,栅极电荷量(Qg):0.8nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):0.75W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):0.8A,连续漏极电流(Id):0.55A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.06Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.7nC@5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.8nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.75W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.375/个 |
| 10+ | ¥1.881/个 |
| 30+ | ¥1.672/个 |
| 100+ | ¥1.406/个 |
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