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VBA3316G
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBA3316G
- 商品编号
- C516886
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.00012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):91pF,反向传输电容(Crss):117pF,导通电阻(RDS(on)):0.017Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.009Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@10V,栅极电荷量(Qg):39nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.98W,耗散功率(Pd):4.16W,输入电容(Ciss):1535pF,输入电容(Ciss):2290pF,输出电容(Coss):360pF,输出电容(Coss):205pF,连续漏极电流(Id):8A,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.017Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.009Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W | |
| 耗散功率(Pd) | 4.16W | |
| 输入电容(Ciss) | 1535pF | |
| 输入电容(Ciss) | 2290pF | |
| 输出电容(Coss) | 360pF | |
| 输出电容(Coss) | 205pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.666/个 |
| 10+ | ¥1.632/个 |
| 30+ | ¥1.607/个 |
| 100+ | ¥1.581/个 |
| 102+ | ¥1.581/个 |
| 104+ | ¥1.581/个 |
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