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VBC8338
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBC8338
- 商品编号
- C516888
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000103千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.35W,输入电容(Ciss):550pF,输入电容(Ciss):960pF,输出电容(Coss):190pF,输出电容(Coss):105pF,连续漏极电流(Id):6.2A,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):3V,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.772/个 |
| 10+ | ¥4.692/个 |
| 30+ | ¥4.148/个 |
| 100+ | ¥3.613/个 |
| 500+ | ¥3.29/个 |
| 1000+ | ¥3.128/个 |
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