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VBMB1311
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBMB1311
- 商品编号
- C516962
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.002477千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):970pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.01Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):171nC@10V,栅极电荷量(Qg):81.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):68A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.01Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.23/个 |
| 10+ | ¥2.576/个 |
| 50+ | ¥2.21/个 |
| 100+ | ¥1.887/个 |
| 500+ | ¥1.7/个 |
| 1000+ | ¥1.598/个 |
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