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VBMB16R08
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBMB16R08
- 商品编号
- C516967
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.002328千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7.1pF,导通电阻(RDS(on)):0.88Ω@10V,5.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):49nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):37W,输入电容(Ciss):890pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88Ω@10V,5.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.868/个 |
| 10+ | ¥3.0855/个 |
| 50+ | ¥2.652/个 |
| 100+ | ¥2.261/个 |
| 500+ | ¥2.0315/个 |
| 1000+ | ¥1.913/个 |
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