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VBP15R50S
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBP15R50S
- 商品编号
- C516971
- 商品封装
- TO-247AC
- 商品毛重
- 0.00806千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):120pF@1V,导通电阻(RDS(on)):0.08Ω@10V,28A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):350nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):530W,输入电容(Ciss):8310pF,输出电容(Coss):960pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@1V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.08Ω@10V,28A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 530W | |
| 输入电容(Ciss) | 8310pF | |
| 输出电容(Coss) | 960pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥18.402/个 |
| 10+ | ¥15.571/个 |
| 30+ | ¥13.804/个 |
| 90+ | ¥11.989/个 |
| 510+ | ¥11.172/个 |
| 990+ | ¥10.811/个 |
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