反向传输电容(Crss):23pF,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@10V,3.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):180pF@10V,连续漏极电流(Id):3.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 23pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,3.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 180pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.287/个 |
10+ | ¥0.23/个 |
30+ | ¥0.201/个 |
100+ | ¥0.179/个 |
500+ | ¥0.162/个 |
1000+ | ¥0.153/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.14076
3000 PCS/盘
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