反向传输电容(Crss):42pF@15V,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@4.5V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.33W,输入电容(Ciss):286pF@15V,输出电容(Coss):43.6pF,连续漏极电流(Id):1.4A,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 42pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V,1.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.33W | |
输入电容(Ciss) | 286pF@15V | |
输出电容(Coss) | 43.6pF | |
连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |