反向传输电容(Crss):20pF@10V,导通电阻(RDS(on)):46mΩ@2.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.71W,输入电容(Ciss):180pF@10V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@2.5V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.71W | |
输入电容(Ciss) | 180pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.112/个 |
500+ | ¥0.0876/个 |
3000+ | ¥0.0741/个 |
6000+ | ¥0.066/个 |
24000+ | ¥0.059/个 |
51000+ | ¥0.0552/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06817
3000 PCS/盘
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