反向传输电容(Crss):112pF@15V,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@4.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.32W,输入电容(Ciss):816pF@15V,连续漏极电流(Id):3.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 112pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.32W | |
输入电容(Ciss) | 816pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.204/个 |
200+ | ¥0.161/个 |
600+ | ¥0.137/个 |
3000+ | ¥0.11/个 |
9000+ | ¥0.0979/个 |
21000+ | ¥0.0911/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1012
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉26.4元