反向传输电容(Crss):110pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@10V,14A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):450pF,连续漏极电流(Id):23A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.045Ω@10V,14A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 450pF | |
连续漏极电流(Id) | 23A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.1/个 |
10+ | ¥4.92/个 |
30+ | ¥4.33/个 |
100+ | ¥3.74/个 |
500+ | ¥3.39/个 |
1000+ | ¥3.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.9532
2000 PCS/盘
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