反向传输电容(Crss):350pF,导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ@10V,75A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):220nC,漏源电压(Vdss):75V,耗散功率(Pd):340W,输入电容(Ciss):9400pF,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 350pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,75A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 220nC | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
耗散功率(Pd) | 340W | |
输入电容(Ciss) | 9400pF | |
连续漏极电流(Id) | 200A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥25.622/个 |
10+ | ¥22.428/个 |
30+ | ¥20.532/个 |
100+ | ¥18.61/个 |
500+ | ¥17.728/个 |
1000+ | ¥17.325/个 |
整盘
单价
整盘单价¥20.63376
25 PCS/盘
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