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高电流IGBT/MoSFET栅极驱动器
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NCV5707BDR2G
- 商品编号
- C5206746
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000215千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):9.2ns,下降时间(tf):7.9ns,传播延迟 tpHL:60ns,传播延迟 tpLH:56ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:0V~36V,拉电流(IOH):7.8A,灌电流(IOL):6A,特性:欠压保护(UVP),特性:过流保护(OCP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.75V,输入高电平(VIH):4.3V,静态电流(Iq):0.9mA,驱动通道数:1,驱动配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 9.2ns | |
| 下降时间(tf) | 7.9ns | |
| 传播延迟 tpHL | 60ns | |
| 传播延迟 tpLH | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 0V~36V | |
| 拉电流(IOH) | 7.8A | |
| 灌电流(IOL) | 6A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.75V | |
| 输入高电平(VIH) | 4.3V | |
| 静态电流(Iq) | 0.9mA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.04/个 |
| 10+ | ¥13.71/个 |
| 30+ | ¥13.49/个 |
| 100+ | ¥13.28/个 |
| 102+ | ¥13.28/个 |
| 104+ | ¥13.28/个 |
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