NCD57090: Isolated High Current Gate Driver实物图

NCD57090: Isolated High Current Gate Driver缩略图

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NCD57090: Isolated High Current Gate Driver

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: NCD57090FDWR2G
商品编号: C5208440
商品封装: SOIC-8-WB
商品毛重: 0.000323千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

CMTI(kV/us):100kV/us,上升时间(tr):13ns,下降时间(tf):13ns,工作温度:-40℃~+125℃@(Ta),拉电流(IOH):6.5A,灌电流(IOL):6.5A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,通道数:1,隔离电压(Vrms):5000,静态电流(Iq):2mA

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属性	参数值	其他
商品目录	隔离式栅极驱动器
CMTI(kV/us)	100kV/us
上升时间(tr)	13ns
下降时间(tf)	13ns
工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)
拉电流(IOH)	6.5A
灌电流(IOL)	6.5A
负载类型	MOSFET
负载类型	IGBT
通道数	1
隔离电压(Vrms)	5000
静态电流(Iq)	2mA