CMTI(kV/us):100kV/us,上升时间(tr):16ns,下降时间(tf):12ns,传播延迟 tpHL:40ns,传播延迟 tpLH:40ns,工作温度:-40℃~+130℃@(Tj),拉电流(IOH):4A,灌电流(IOL):6A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):0.8V,输入侧工作电压:3V~5.5V,输入高电平(VIH):1.6V,通道数:2,隔离电压(Vrms):5700,静态电流(Iq):2000uA,驱动侧工作电压:9.2V~18V,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
上升时间(tr) | 16ns | |
下降时间(tf) | 12ns | |
传播延迟 tpHL | 40ns | |
传播延迟 tpLH | 40ns | |
工作温度 | -40℃~+130℃@(Tj) | |
拉电流(IOH) | 4A | |
灌电流(IOL) | 6A | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
输入低电平(VIL) | 0.8V | |
输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
输入高电平(VIH) | 1.6V | |
通道数 | 2 | |
隔离电压(Vrms) | 5700 | |
静态电流(Iq) | 2000uA | |
驱动侧工作电压 | 9.2V~18V | |
驱动配置 | 半桥 |