反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):4.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):22pF,输出电容(Coss):11pF,连续漏极电流(Id):115mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 22pF | |
输出电容(Coss) | 11pF | |
连续漏极电流(Id) | 115mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.812/个 |
50+ | ¥0.643/个 |
150+ | ¥0.559/个 |
500+ | ¥0.495/个 |
3000+ | ¥0.445/个 |
6000+ | ¥0.419/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.4094
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉106.8元