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DMT10H010LK3-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMT10H010LK3-13
- 商品编号
- C526580
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000451千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):45pF@50V,导通电阻(RDS(on)):8.8mΩ@10V,13A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):53.7nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):2592pF@50V,连续漏极电流(Id):68.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,13A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 2592pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.11/个 |
| 10+ | ¥4.13/个 |
| 30+ | ¥3.65/个 |
| 100+ | ¥3.16/个 |
| 500+ | ¥2.87/个 |
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