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DMTH6004SK3Q-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMTH6004SK3Q-13
- 商品编号
- C526586
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000466千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):105.2pF@30V,导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@10V,90A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):95.4nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):180W,耗散功率(Pd):180W,输入电容(Ciss):4556pF@30V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105.2pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,90A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.4nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 输入电容(Ciss) | 4556pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.46/个 |
| 10+ | ¥5.32/个 |
| 30+ | ¥4.7/个 |
| 100+ | ¥3.99/个 |
| 500+ | ¥3.55/个 |
| 1000+ | ¥3.41/个 |
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