反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):10Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):85pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):320mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 85pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.78/个 |
| 10+ | ¥2.72/个 |
| 30+ | ¥2.67/个 |
| 100+ | ¥2.63/个 |
| 102+ | ¥2.63/个 |
| 104+ | ¥2.63/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.4196
1000 PCS/盘
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