射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,直流电流增益(hFE):60@2A,1V,耗散功率(Pd):1.75W,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V,集电极截止电流(Icbo):200nA,集电极电流(Ic):8A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
直流电流增益(hFE) | 60@2A,1V | |
耗散功率(Pd) | 1.75W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
集电极截止电流(Icbo) | 200nA | |
集电极电流(Ic) | 8A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0219/个 |
50+ | ¥1.588/个 |
150+ | ¥1.402/个 |
500+ | ¥1.169/个 |
2500+ | ¥1.0659/个 |
5000+ | ¥1.0039/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.98063
2500 PCS/盘
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