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LMG5200 80V, 10A GaN 半桥功率阶段
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- LMG5200MOFT
- 商品编号
- C527479
- 商品封装
- QFN-9(6x8)
- 商品毛重
- 0.000288千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
传播延迟 tpHL:29.5ns,传播延迟 tpLH:29.5ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.75V~5.25V,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):1.48V~1.76V,输入高电平(VIH):1.87V~2.22V,静态电流(Iq):0.08mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 传播延迟 tpHL | 29.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 29.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 1.48V~1.76V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.87V~2.22V | |
| 静态电流(Iq) | 0.08mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
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| 100+ | ¥54.45/个 |
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