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SIR426DP-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIR426DP-T1-GE3
- 商品编号
- C52893
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 商品毛重
- 0.000131千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):70pF@20V,导通电阻(RDS(on)):0.0105Ω@10V,30A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.3nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):26.7W,耗散功率(Pd):41.7W,输入电容(Ciss):1160pF@20V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0105Ω@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 26.7W | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1160pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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