反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,0.22A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.4nC@25V,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):27pF@25V,连续漏极电流(Id):0.22A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,0.22A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@25V | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | 27pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 0.22A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.311/个 |
100+ | ¥0.259/个 |
300+ | ¥0.233/个 |
3000+ | ¥0.139/个 |
6000+ | ¥0.124/个 |
9000+ | ¥0.116/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12788
3000 PCS/盘
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