反向传输电容(Crss):204pF,导通电阻(RDS(on)):1.9mΩ@10V,25A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.8W,耗散功率(Pd):108W,输入电容(Ciss):4420pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 204pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V,25A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2.8W | |
耗散功率(Pd) | 108W | |
输入电容(Ciss) | 4420pF | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.02/个 |
10+ | ¥4.9/个 |
30+ | ¥4.34/个 |
100+ | ¥3.78/个 |
500+ | ¥3.01/个 |
1000+ | ¥2.84/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.753
2500 PCS/盘
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