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AGM425MD
扩展库- 品牌名称
- AGM-Semi(芯控源)
- 厂家型号
- AGM425MD
- 商品编号
- C5297502
- 商品封装
- TO-252-4
- 商品毛重
- 0.00042千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):53pF,反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,15A,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,栅极电荷量(Qg):5.5nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):25W,耗散功率(Pd):27.8W,输入电容(Ciss):715pF,输入电容(Ciss):880pF,输出电容(Coss):87pF,输出电容(Coss):65pF,连续漏极电流(Id):23A,连续漏极电流(Id):20A,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 输出电容(Coss) | 87pF | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.216/个 |
| 50+ | ¥0.954/个 |
| 150+ | ¥0.842/个 |
| 500+ | ¥0.701/个 |
| 2500+ | ¥0.608/个 |
| 5000+ | ¥0.57/个 |
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