上升时间(tr):25ns,下降时间(tf):10ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~18V,拉电流(IOH):1.5A,灌电流(IOL):1A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 25ns | |
下降时间(tf) | 10ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 10V~18V | |
拉电流(IOH) | 1.5A | |
灌电流(IOL) | 1A | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.373/个 |
50+ | ¥1.0545/个 |
150+ | ¥0.918/个 |
500+ | ¥0.748/个 |
2500+ | ¥0.735/个 |
4000+ | ¥0.689/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.67
4000 PCS/盘
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