1ED3120MU12H实物图
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1ED3120MU12H

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品牌名称
Infineon(英飞凌)
厂家型号
1ED3120MU12H
商品编号
C530921
商品封装
DSO-8
商品毛重
0.000169千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

上升时间(tr):-,下降时间(tf):15ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~35V,拉电流(IOH):5.5A,灌电流(IOL):5.5A,特性:欠压保护(UVP),特性:短路保护(SCP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):1.1mA,驱动通道数:1,驱动配置:-

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属性参数值其他
商品目录预售晶体管
上升时间(tr)-
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpHL-
传播延迟 tpLH-
工作温度-40℃~+125℃
工作电压10V~35V
拉电流(IOH)5.5A
灌电流(IOL)5.5A
特性欠压保护(UVP)
特性短路保护(SCP)
负载类型MOSFET
负载类型IGBT
输入低电平(VIL)-
输入高电平(VIH)-
静态电流(Iq)1.1mA
驱动通道数1
驱动配置-

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