导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,3.5A,数量:2个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.15W,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,3.5A | |
数量 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.15W | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.329/个 |
100+ | ¥0.262/个 |
300+ | ¥0.228/个 |
3000+ | ¥0.195/个 |
6000+ | ¥0.175/个 |
9000+ | ¥0.165/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1794
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