反向传输电容(Crss):10pF,反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):-,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,0.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,漏源电压(Vdss):-,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):40pF,输入电容(Ciss):30pF,连续漏极电流(Id):0.34A,连续漏极电流(Id):0.18A,阈值电压(Vgs(th)):1.62V,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,0.1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | - | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
输入电容(Ciss) | 30pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.34A | |
连续漏极电流(Id) | 0.18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.62V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |