导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,0.5A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.15W,连续漏极电流(Id):0.115A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,0.5A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
连续漏极电流(Id) | 0.115A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.1/个 |
500+ | ¥0.0786/个 |
3000+ | ¥0.0642/个 |
6000+ | ¥0.057/个 |
24000+ | ¥0.0507/个 |
51000+ | ¥0.0474/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05906
3000 PCS/盘
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