射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN-预偏置,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):200MHz,直流电流增益(hFE):100,耗散功率(Pd):200mW,输入电阻:2.2kΩ,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV,集电极截止电流(Icbo):500nA,集电极电流(Ic):500mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电阻 | 2.2kΩ | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.15/个 |
| 10+ | ¥5.01/个 |
| 30+ | ¥4.44/个 |
| 100+ | ¥3.88/个 |
| 500+ | ¥3.54/个 |
| 1000+ | ¥3.36/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.0912
3000 PCS/盘
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